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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SQD50P06-15L-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數：MOSFET P-CH 60V 50A TO252

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

Vishay威世半導體原廠型號：SQD50P06-15L-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 60V 50A TO252

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：50A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：15.5 毫歐 @ 17A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：150nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5910pF @ 25V

功率 - 最大值：136W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商器件封裝：TO-252，（D-Pak）

SQD50P06-15L-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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