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圖片信息
TPCP8103-H(TE85LFM圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:TPCP8103-H(TE85LFM
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載TPCP8103-H(TE85LFM的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:TPCP8103-H(TE85LFM
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:U-MOSIII-H
  • 零件狀態(tài):最後搶購
  • FET類型:P 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):40V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):4.8A(Ta)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):40 毫歐 @ 2.4A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):800pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):840mW(Ta)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PS-8(2.9x2.4)
  • TPCP8103-H(TE85LFM均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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