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圖片信息
SSM6N815R,LF圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:SSM6N815R,LF
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載SSM6N815R,LF的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:SSM6N815R,LF
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:U-MOSVIII-H
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動
  • 漏源電壓(Vdss):100V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):2A(Ta)
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):103 毫歐 @ 2A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):3.1nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):290pF @ 15V
  • 功率-最大值:1.8W(Ta)
  • 工作溫度:150°C
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:6-SMD,扁平引線
  • SSM6N815R,LF均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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