深圳市南皇電子有限公司長期提供SSM6J212FE(TE85L,F（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SSM6J212FE(TE85L,F

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 4A ES6

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

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技術(shù)參數(shù)詳解：

東芝半導(dǎo)體公司完整型號：SSM6J212FE(TE85L,F

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 4A ES6

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：4A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：40.7 毫歐 @ 3A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14.1nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：970pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商器件封裝：ES6（1.6x1.6）

SSM6J212FE(TE85L,F均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Toshiba

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