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圖片信息
RN1969FE(TE85L,F)圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):RN1969FE(TE85L,F)
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置
  • 點(diǎn)擊此處下載RN1969FE(TE85L,F)的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):RN1969FE(TE85L,F)
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • 晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器-基極(R1):47 千歐
  • 電阻器-發(fā)射極(R2):22 千歐
  • 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V
  • 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 250μA,5mA
  • 電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 頻率-躍遷:250MHz
  • 功率-最大值:100mW
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-563,SOT-666
  • RN1969FE(TE85L,F)均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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