深圳市南皇電子有限公司長期提供RN1708JE(TE85L,F)（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：RN1708JE(TE85L,F)

技術(shù)標準參數(shù)：NPN X 2 BRT, Q1BSR=22K?, Q1BER=4

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：RN1708JE(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：NPN X 2 BRT, Q1BSR=22K?, Q1BER=4

系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置

零件狀態(tài)：有源

晶體管類型：2 NPN - 預(yù)偏壓（雙）（耦合發(fā)射器）

電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA

電壓-集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器-基極(R1)：22 千歐

電阻器-發(fā)射極(R2)：47 千歐

不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA

電流-集電極截止（最大值）：500nA

頻率-躍遷：250MHz

功率-最大值：100mW

安裝類型：表面貼裝型

封裝：SOT-553

RN1708JE(TE85L,F)均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Toshiba

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