深圳市南皇電子有限公司長期提供CSD19537Q3T（品牌: TI）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：CSD19537Q3T制造商：Texas Instruments描述：MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：NexFET?零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：100V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：50A（Ta）驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：14.5 毫歐 @ 10A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1680pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），83W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-VSON（3.3x3.3）CSD19537Q3T均從TI代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
