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圖片信息
M474A1G43DB0-CPB圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:M474A1G43DB0-CPB
  • 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
  • 技術標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
  • 產(chǎn)品應用分類:模塊
  • 點擊此處下載M474A1G43DB0-CPB的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 三星模塊型號:M474A1G43DB0-CPB
  • 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
  • 功能類別:模塊
  • DDR:四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
  • DIMM 類型:ECC SODIMM
  • 容量:8GB
  • 內存區(qū)塊組織:2R x 8
  • 速率:2133 Mbps
  • 工作電壓:1.2 V
  • 組件成分:(512M x 8) x 18
  • M474A1G43DB0-CPB均從三星半導體代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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