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圖片信息
K4B8G1646D-BYNB圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:K4B8G1646D-BYNB
  • 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
  • 技術(shù)標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
  • 產(chǎn)品應用分類:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
  • 點擊此處下載K4B8G1646D-BYNB的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 三星芯片型號:K4B8G1646D-BYNB
  • 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
  • 功能類別:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
  • 容量:8Gb
  • 架構(gòu):512M x 16
  • 速率:2133 Mbps
  • 工作電壓:1.35 V
  • 工作溫度:0 ~ 85 °C
  • 封裝:96FBGA
  • 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
  • K4B8G1646D-BYNB均從三星半導體代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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