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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：STGP8M120DF3

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGP8M120DF3

制造商：STMicroelectronics

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：管件

零件狀態(tài)：-

IGBT類型：有源

電壓-集射極擊穿（最大值）：溝槽型場截止

電流-集電極(Ic)（最大值）：1200V

電流-集電極脈沖(Icm)：16A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：32A

功率-最大值：2.3V @ 15V，8A

開關(guān)能量：-

輸入類型：390μJ（開），370μJ（關(guān)）

柵極電荷：標(biāo)準(zhǔn)

25°C時Td（開/關(guān)）值：32nC

測試條件：20ns/126ns

反向恢復(fù)時間(trr)：600V，8A，33 歐姆，15V

工作溫度：103ns

安裝類型：-55°C ~ 175°C（TJ）

封裝：通孔

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