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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：STGP10NB60SD

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 29A 80W TO220

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGP10NB60SD

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 29A 80W TO220

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：PowerMESH?

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：29A

電流-集電極脈沖(Icm)：80A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，10A

功率-最大值：80W

開關(guān)能量：600μJ（開），5mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：33nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：700ns/1.2μs

測試條件：480V，10A，1 千歐，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：37ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-220-3

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