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圖片信息
RSD140P06TL圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):RSD140P06TL
  • 原始制造廠商:ROHM,羅姆
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載RSD140P06TL的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):RSD140P06TL
  • 制造商:Rohm Semiconductor
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì)
  • FET類(lèi)型:P 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):14A(Ta)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4V,10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):84 毫歐 @ 14A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):27nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1900pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):20W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
  • 器件封裝:CPT3
  • RSD140P06TL均從ROHM代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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    深圳市南皇電子有限公司 - RSD140P06TL - ROHM公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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