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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
RQ3E130BNTB圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:RQ3E130BNTB
  • 原始制造廠商:ROHM,羅姆
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載RQ3E130BNTB的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:RQ3E130BNTB
  • 制造商:Rohm Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):13A(Ta)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):6 毫歐 @ 13A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):36nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1900pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2W(Ta)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:8-HSMT(3.2x3)
  • RQ3E130BNTB均從ROHM代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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    深圳市南皇電子有限公司 - RQ3E130BNTB - ROHM公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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