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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：NTD18N06LT4

技術標準參數：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：NTD18N06LT4

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態(tài)：停產

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：18A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：65 毫歐 @ 9A，5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 5V

Vgs（最大值）：±15V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：675pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），55W（Tj）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：DPAK

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