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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：NSBC113EPDXV6T1G

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：NSBC113EPDXV6T1G

制造商：ON Semiconductor

描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置

零件狀態(tài)：有源

晶體管類型：-

電流-集電極(Ic)（最大值）：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：-

電阻器-基極(R1)：-

電阻器-發(fā)射極(R2)：-

不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：-

不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：-

電流-集電極截止（最大值）：-

頻率-躍遷：-

功率-最大值：-

安裝類型：-

封裝：-

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