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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：NSBA114EDXV6T5

技術(shù)標(biāo)準參數(shù)：TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：NSBA114EDXV6T5

制造商：ON Semiconductor

描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

晶體管類型：2 個 PNP 預(yù)偏壓式（雙）

電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA

電壓-集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器-基極(R1)：10 千歐

電阻器-發(fā)射極(R2)：10 千歐

不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：35 @ 5mA，10V

不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA

電流-集電極截止（最大值）：500nA

頻率-躍遷：-

功率-最大值：500mW

安裝類型：表面貼裝型

封裝：SOT-563，SOT-666

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