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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：FQI8P10TU

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：FQI8P10TU

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：QFET?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：8A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：530 毫歐 @ 4A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：470pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），65W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：I2PAK（TO-262）

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