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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：PSMN4R3-100ES,127

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

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技術(shù)參數(shù)詳解：

NXP恩智浦完整型號：PSMN4R3-100ES,127

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.3 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：170nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9900pF @ 50V

功率 - 最大值：338W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應(yīng)商器件封裝：I2PAK

PSMN4R3-100ES,127均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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