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圖片信息
PMDPB55XP,115圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:PMDPB55XP,115
  • 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
  • 技術標準參數:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
  • 產品應用分類:場效應管陣列
  • 點擊此處下載PMDPB55XP,115的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • NXP恩智浦完整型號:PMDPB55XP,115
  • 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
  • 系列:-
  • FET 類型:2 個 P 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.4A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):70 毫歐 @ 3.4A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):785pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:490mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤
  • 供應商器件封裝:6-HUSON(2x2)
  • PMDPB55XP,115均從NXP代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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