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圖片信息
BLL6H1214P2S-250Z圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:BLL6H1214P2S-250Z
  • 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
  • 技術標準參數:TRANS L-BAND RADAR LDMOS SOM39
  • 產品應用分類:RF FET
  • 點擊此處下載BLL6H1214P2S-250Z的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • NXP恩智浦完整型號: BLL6H1214P2S-250Z
  • 制造廠家名稱: NXP Semiconductors
  • 功能總體簡述: TRANS L-BAND RADAR LDMOS SOM39
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值): -
  • 頻率: -
  • 增益: -
  • 頻率 - 躍遷: -
  • 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值): -
  • 電壓 - 測試: -
  • 額定電流: -
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪聲系數: -
  • 不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): -
  • 電流 - 測試: -
  • 功率 - 輸出: -
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值): -
  • 安裝類型: -
  • 電壓 - 額定: -
  • 封裝/外殼: -
  • 供應商器件封裝:
  • BLL6H1214P2S-250Z均從NXP代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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