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圖片信息
APTGT150DH170G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:APTGT150DH170G
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術(shù)標準參數(shù):IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:IGBT模塊
  • 點擊此處下載APTGT150DH170G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Microsemi美高森美完整型號:APTGT150DH170G
  • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
  • 描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
  • 系列:-
  • IGBT 類型:溝道和場截止
  • 配置:非對稱橋
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):250A
  • 功率 - 最大值:890W
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.4V @ 15V,150A
  • 電流 - 集電極截止(最大值):350μA
  • 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):13.5nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC 熱敏電阻:無
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP6
  • 供應(yīng)商器件封裝:SP6
  • APTGT150DH170G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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