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圖片信息
APTCV40H60CT1G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:APTCV40H60CT1G
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術(shù)標準參數(shù):IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:IGBT模塊
  • 點擊此處下載APTCV40H60CT1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Microsemi美高森美完整型號:APTCV40H60CT1G
  • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
  • 描述:IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
  • 系列:-
  • IGBT 類型:溝道和場截止
  • 配置:全橋
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80A
  • 功率 - 最大值:176W
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):1.9V @ 15V,50A
  • 電流 - 集電極截止(最大值):250μA
  • 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):3.15nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC 熱敏電阻:是
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP1
  • 供應(yīng)商器件封裝:SP1
  • APTCV40H60CT1G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    Microsemi產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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