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圖片信息
APT68GA60LD40圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:APT68GA60LD40
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 600V 121A 520W TO-264
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單路IGBT
  • 點擊此處下載APT68GA60LD40的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Microsemi美高森美完整型號:APT68GA60LD40
  • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
  • 描述:IGBT 600V 121A 520W TO-264
  • 系列:POWER MOS 8?
  • IGBT 類型:PT
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):121A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):202A
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.5V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值:520W
  • Switching Energy:715μJ (開), 607μJ (關(guān))
  • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • Gate Charge:198nC
  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:21ns/133ns
  • Test Condition:400V, 40A, 4.7 歐姆, 15V
  • 反向恢復(fù)時間 (trr):22ns
  • 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA
  • 安裝類型:通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L]
  • APT68GA60LD40均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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