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圖片信息
IMW65R048M1HXKSA1圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:IMW65R048M1HXKSA1
  • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載IMW65R048M1HXKSA1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IMW65R048M1HXKSA1
  • 制造商:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:-
  • 技術(shù):-
  • 漏源電壓(Vdss):-
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):39A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):-
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:-
  • 器件封裝:-
  • IMW65R048M1HXKSA1均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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