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    圖片信息
    IXTT110N10P圖片
    基本技術(shù)信息:
  1. 電子器件型號:IXTT110N10P
  2. 原始制造廠商:IXYS
  3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 100V 110A TO268
  4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  5. 點(diǎn)擊此處下載IXTT110N10P的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
  8. 制造商產(chǎn)品型號:IXTT110N10P
  9. 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
  10. 描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO268
  11. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  12. 產(chǎn)品系列:PolarHT?
  13. 零件狀態(tài):有源
  14. FET類型:N 通道
  15. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  16. 漏源電壓(Vdss):100V
  17. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):110A(Tc)
  18. 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  19. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):15 毫歐 @ 500mA,10V
  20. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  21. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):110nC @ 10V
  22. Vgs(最大值):±20V
  23. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):3550pF @ 25V
  24. FET功能:-
  25. 功率耗散(最大值):480W(Tc)
  26. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  27. 安裝類型:表面貼裝型
  28. 器件封裝:TO-268
  29. IXTT110N10P均從IXYS代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  30. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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