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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IXFN32N60(品牌: IXYS)充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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IXFN32N60 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持,IXYS代理穩(wěn)定貨源。
圖片信息
IXFN32N60圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):IXFN32N60
  • 原始制造廠商:IXYS
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載IXFN32N60的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IXFN32N60
  • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購(gòu))
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:HiPerFET?
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):32A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):250 毫歐 @ 500mA,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4.5V @ 8mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):325nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):9000pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):520AW(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 器件封裝:SOT-227B
  • IXFN32N60均從IXYS代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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