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圖片信息
IS61NVP51236-200B3-TR圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:IS61NVP51236-200B3-TR
  • 原始制造廠商:ISSI
  • 技術(shù)標準參數(shù):IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:存儲器
  • 點擊此處下載IS61NVP51236-200B3-TR的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IS61NVP51236-200B3-TR
  • 制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
  • 產(chǎn)品系列:存儲器
  • 包裝:卷帶(TR)
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • 存儲器類型:易失
  • 存儲器格式:SRAM
  • 技術(shù):SRAM - 同步,SDR
  • 存儲容量:18Mb(512K x 36)
  • 存儲器接口:并聯(lián)
  • 時鐘頻率:200MHz
  • 寫周期時間-字,頁:-
  • 訪問時間:3.1ns
  • 電壓-供電:2.375V ~ 2.625V
  • 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝:165-TBGA
  • IS61NVP51236-200B3-TR均從ISSI代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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    深圳市南皇電子有限公司 - IS61NVP51236-200B3-TR - ISSI公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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