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圖片信息
FQI17N08TU圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:FQI17N08TU
  • 原始制造廠商:Fairchild,仙童,飛兆
  • 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
  • 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
  • 點擊此處下載FQI17N08TU的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:FQI17N08TU
  • 制造廠家名稱:Fairchild 仙童半導體(已被ON安森美收購)
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
  • 系列:QFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):16.5A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):115 毫歐 @ 8.25A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):450pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:3.13W
  • 安裝類型:通孔
  • 產(chǎn)品封裝:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
  • 供應商器件封裝:I2PAK
  • FQI17N08TU均從Fairchild代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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