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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：ZXMN6A08E6TA

原始制造廠商：Diodes，美臺半導體

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產品型號：ZXMN6A08E6TA

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：2.8A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：80 毫歐 @ 4.8A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：5.8nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：459pF @ 40V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.1W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：SOT-26

ZXMN6A08E6TA均從Diodes代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Diodes

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