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深圳市南皇電子有限公司長期提供DMT10H010LSS-13(品牌: Diodes)充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
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圖片信息
DMT10H010LSS-13圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:DMT10H010LSS-13
  • 原始制造廠商:Diodes,美臺半導體
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載DMT10H010LSS-13的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應,最快當日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:DMT10H010LSS-13
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):100V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):11.5A(Ta),29.5A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):9.5 毫歐 @ 13A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):71nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):3000pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.4W(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:8-SO
  • DMT10H010LSS-13均從Diodes代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
    Diodes產(chǎn)品廣泛的應用范圍
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