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深圳市南皇電子有限公司長期提供DMN2014LHAB-7(品牌: Diodes)充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
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圖片信息
DMN2014LHAB-7圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:DMN2014LHAB-7
  • 原始制造廠商:Diodes,美臺半導體
  • 技術標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載DMN2014LHAB-7的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應,最快當日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:DMN2014LHAB-7
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:2 N 溝道(雙)共漏
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):20V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):9A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):13 毫歐 @ 4A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):16nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1550pF @ 10V
  • 功率-最大值:800mW
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:6-UFDFN
  • DMN2014LHAB-7均從Diodes代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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