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圖片信息
NE3511S02-T1C-A圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:NE3511S02-T1C-A
  • 原始制造廠商:CEL
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IC AMP RF LNA 13.5DB S02
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
  • 點(diǎn)擊此處下載NE3511S02-T1C-A的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:NE3511S02-T1C-A
  • 制造商:CEL
  • 描述:IC AMP RF LNA 13.5DB S02
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • 晶體管類型:HFET
  • 頻率:12GHz
  • 增益:13.5dB
  • 電壓-測試:2V
  • 額定電流(安培):70mA
  • 噪聲系數(shù):0.3dB
  • 電流-測試:10mA
  • 功率-輸出:-
  • 電壓-額定:4V
  • 封裝:4-SMD,扁平引線
  • NE3511S02-T1C-A均從CEL代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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